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BU508AW中文资料

BU508AW图片

BU508AW外观图

  • 大小：72.76KB
  • 厂家：PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述：Silicon Diffused Power Transistor
  • 其它有关文件：BU508AW View All Specifications
  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：700V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 1.6A，4.5A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：200µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：10 @ 100mA，5V
  • 功率 - 最大：125W
  • 频率 - 转换：-
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商设备封装：TO-247-3
  • 包装：管件
  • 其它名称：497-7196-5BU508AW-ND

BU508AW供应商

更新时间:2023-01-11 02:51:17
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